プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999068079
Publication number (International publication number)：2000269201
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理速度を向上させるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】複数のガス導入口5a,5bを備えた上部電極3と、上部電極3と対向配置され、Siウェハ7を載置し、下部電極として機能する支持台2とを有する平行平板型のプラズマ処理装置において、複数のガス導入口5aは、その開口端の方向に孔径が広がる部分を有する。

Claim (excerpt)：

被処理基体を載置する下部電極と、この下部電極と対向配置され、該下部電極側に複数のガス導入口を備えた上部電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して前記被処理基体に所定の処理を施すプラズマ処理方法において、少なくとも一部の前記ガス導入口に、該ガス導入口の開口端の方向に孔径が広がる部分を設けてガスを導入することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 D , C23C 16/50 D , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

F-Term (40)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA24 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030KA12 , 4K030KA17 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA06 , 5F004BA11 , 5F004BA13 , 5F004BB11 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB32 , 5F004BC03 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AD07 , 5F045BB01 , 5F045BB09 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EF14 , 5F045EF17 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-069493 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-318675 Applicant：株式会社日立製作所
気体供給用装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-068658 Applicant：トリコンホールディングスリミティド

Show all

Return to Previous Page