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J-GLOBAL ID：200903087138084551
超音波断層装置の超音波送信パルス発生回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992021026
Publication number (International publication number)：1993212034
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Aug. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 N及びPチャンネル形の一対のFET11,12の両ドレインを共通接続して送信信号出力端とし、ゲートを入力端とした一方のFET11のソースを接地すると共に他方のFET12のソースを電源+HVに接続し、更に両FET11,12のゲート相互間にコンデンサC1を接続すると共に他方のFET12のゲート,ソース相互間に抵抗R1を接続してなる超音波断層装置の超音波送信パルス発生回路において、構成簡単かつ安価にてTTLレベルの入力信号で連続波送信可能とし、パルス送信及び連続波送信が可能な超音波送信パルス発生回路を小形かつ安価に実現する。【構成】 前記抵抗R1の両端間に電源極性に対して逆方向にダイオードD1を接続し、TTLレベルの信号入力時、他方のFET12のゲート,ソース間電圧をスイッチング可能な電圧とする。
Claim (excerpt)：
N及びPチャンネル形の一対のFETのドレイン相互が接続されて送信信号出力端として導出され、かつゲートが入力端とされた一方のFETのソースが接地されると共に他方のFETのソースが電源に接続され、更に両FETのゲート相互間にコンデンサが接続されると共に他方のFETのゲート,ソース相互間に抵抗が接続されてなり、前記入力端には前段回路からの信号が入力される超音波断層装置の超音波送信パルス発生回路において、前記抵抗の両端間に前記電源の極性に対して逆方向に接続されたダイオードを具備することを特徴とする超音波断層装置の超音波送信パルス発生回路。
IPC (3)：
A61B 8/06
, A61B 8/00
, G01P 5/00
