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J-GLOBAL ID：200903087150545556

磁気抵抗効果型薄膜ヘッド

Inventor： 池田 智夫 ,  福島 信人 ,  藤井 浩司
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994075963
Publication number (International publication number)：1995287816
Application date： Apr. 14, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造工程における信頼性を向上させる。【構成】 電極を低抵抗材料であり且つスパッタ率が大きい値をもつAuで構成される上電極層と密着性が高く且つ熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の2層構造とし、上電極層とMR素子との間に下電極層を配置する。上記上電極層の膜厚は0.1μm以上0.4μm以下とし、上記下電極層の膜厚は10nm以上50nm以下とする。【効果】 電極形成時におけるMR素子の劣化もしくは断線の危険性を減少させるとともに、製造工程中における加熱による電極材料のMR素子内への拡散を防止する。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果型素子と該磁気抵抗効果型素子上の両端に形成された一対の電極とを具備してなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドであって、前記電極はTaからなる下電極層とAuからなる上電極層とが順次積層してなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。