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J-GLOBAL ID：200903087154044306

ショットキバリアダイオードおよび半導体集積回路装置

Inventor： 飯田 哲也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342816
Publication number (International publication number)：1994196683
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ショットキバリアダイオードの占有面積を増大させることなく、ショットキバリアダイオードの許容電流を増大させる。【構成】 化合物半導体基板1に、第1の凹溝3aと、第2の凹溝3bとを互いに隣接するように所定の間隔をおいて設け、第1の凹溝3aにショットキ電極4を設け、第2の凹溝3bにオーミック電極5を設けてショットキバリアダイオード2を構成した。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板に第1の凹溝と第2の凹溝とを所定の間隔をおいて互いに隣接するように設け、前記第1の凹溝の内面にショットキ電極を設け、前記第2の凹溝の内面にオーミック電極を設けたことを特徴とするショットキバリアダイオード。