Pat
J-GLOBAL ID：200903087157926199
静電気破壊耐量試験装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992211907
Publication number (International publication number)：1994058985
Application date： Aug. 10, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】放電を起させることなく半導体装置8の樹脂外郭体7に帯電させ、その帯電による内部回路の静電気破壊耐量を正確に測定するとともに運用コスト及び準備工数の低減を図る。【構成】接地に対し所望の電圧を印加する金属板1の上に、比測定半導体装置8のパッケージ材料である樹脂外郭体7の比誘電率よりも一桁以上高い比誘電率を有しかつ絶縁耐量が空気の絶縁耐量よりも一桁以上高い特性を示す誘電体2をのせ、その誘電体2の上に半導体装置8を置いて、樹脂外郭体7に充分に電荷を蓄積した後半導体装置8の外部リード端子6に放電用端子3に接触させ、特定の外部リード端子に接続できる測定器4により、半導体装置8の電気的特製を測定し、半導体装置8が破壊するまで試験を行う。樹脂外郭体の静電誘動による帯電に対し内部回路の静電気破壊耐量を測定する。
Claim (excerpt)：
接地に対し所望の電圧を印加する金属板と、この金属板の上に載置されるとともに被測定半導体装置の樹脂外郭部の被誘電率よりも少なくとも一桁高い比誘電率を有し、かつ絶縁耐量が空気の絶縁耐量よりも少なくとも一桁高い特性をもつ板状の誘電体とを備え、この誘電体に前記被測定半導体装置を載せ、前記被測定半導体装置の前記樹脂外郭体に電圧を印加して帯電させ、帯電した電荷を放出後内部回路を測定して前記被測定半導体装置の静電気破壊耐量を測定することを特徴とする静電気破壊耐量試験装置
IPC (2)：
Return to Previous Page
