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J-GLOBAL ID：200903087166019153
蛍りん光体の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195318
Publication number (International publication number)：1995092299
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 X線パターンを効率良く、高分解能で可視光や光電変換素子が感度を有する波長範囲の光のパターンに変換するシート状素子を提供する。【構成】 透光性の基板シート10上に所望の分解能より小さな間隔で、側面25が基板表面に対し約20〜45°傾斜し基板に平行な頂面30をもつ微小なメサアレーを形成する。この基板上にCsIのようなアルカリハロゲン化蛍りん光体を真空蒸着などの手段で30〜1000μmの厚さに堆積し、約150〜300°Cで焼きなましをする。蛍りん光体はメサ斜面にはほとんど堆積せず、基板表面に垂直な方向に柱状に堆積する。これに焼きなましを施すと、基板表面に垂直方向に多数の亀裂が生じる。この上からAl等の光反射性物質を堆積し、または保護膜を形成する。【効果】 蛍りん光体膜中でX線からの変換光は亀裂や柱状構造のために横方向に拡散せず高分解能が得られる。
Claim (excerpt)：
下記の(a),(b)および(c)の工程を含む、X線放射検知器の製造方法:(a)ハロゲン化アルカリ蛍りん光体の沈積および成長の為の基材を提供する工程、(b)複数のメサを含み、上記の各メサが角をなす上り勾配、角をなす下り勾配、および水平表面を有し、各メサが上記の基材の水平区画によって互いに分離されており、下記の(i),(ii)および(iii)を特徴とする、上記の基材上にパターン化された表面を形成する工程:(i)上記メサを分離する上記基材の上記水平区画の幅に対する、上記の各メサの高さの比率が約1:20〜1:4の範囲内である;(ii)上記メサを分離する上記基材の上記水平区画の幅に対する、上記の各メサの幅の比率が約1:30〜1:4の範囲内である;また(iii)上記の各メサの上りおよび下り勾配が約5°〜85°である、そして(c)上記(b)工程のパターン化された基材表面にハロゲン化アルカリ蛍りん光体を沈積させ、それによって上記の各メサの角をなす上り勾配および/または下り勾配から起始もしくは生じる、上記の沈積した蛍りん光体中に亀裂を形成する工程。
IPC (2)：
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