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J-GLOBAL ID：200903087178151359

プラズマCVD装置およびプラズマCVDによる堆積膜形成方法

Inventor： 高木 智 ,  山上 敦士
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239730
Publication number (International publication number)：1998060654
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、複数の円筒状基体の表面上に該円筒状基体の軸方向、及び周方向のいずれの方向に関しても、膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成し、効率良く半導体デバイスを形成し得るプラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、減圧可能な反応容器と、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器内に配された基体保持手段及びカソード電極と、高周波電源とを有し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記カソード電極に供給して前記基体保持手段により保持される基体と前記カソード電極との間にプラズマを発生させ基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置またはプラズマCVDによる堆積膜形成方法において、前記カソード電極が同一軸上にある複数の棒状導電体部材を誘電体部材により容量結合して構成されていることことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器と、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器内に配された基体保持手段及びカソード電極と、高周波電源とを有し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記カソード電極に供給して前記基体保持手段により保持される基体と前記カソード電極との間にプラズマを発生させ基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、前記カソード電極が同一軸上にある複数の棒状導電体部材を誘電体部材により容量結合して構成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C