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J-GLOBAL ID:200903087180228202

パターン膜修正装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 林 敬之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996232315
Publication number (International publication number):1997134000
Application date: Nov. 13, 1987
Publication date: May. 20, 1997
Summary:
【要約】【課題】 試料表面に形成されたパターン状の薄膜の所定部分を集束イオンビーム走査させながら照射し能率よく、きれいにパターン状の薄膜の所定部分を除去する。【解決手段】 試料表面に形成された金属又は金属酸化物のパターン状の薄膜の所定部分に集束イオンビームを繰り返し走査照射し且つハロゲンガスをその部分に局所的に吹きつけ、パターン状の薄膜の所定部分を除去する方法において、そのパターン膜除去中にパターン膜から発生する総イオン種の2次イオン強度を測定し、その強度変化によりパターン除去を終了する方法である。
Claim (excerpt):
真空容器内にある基板の表面に形成されているパターン膜の所望範囲に集束イオンビームを繰り返し走査させながら照射し、ハロゲンガス又はハロゲン化キセノンガスを前記所望範囲に局所的に吹きつけ前記所望範囲のパターン膜を除去することによりパターン膜を修正するパターン膜修正方法に於いて、前記所望範囲から発生する総イオンの2次イオン強度の変化に基づきパターン膜除去を終了することを特徴とするパターン膜修正方法。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 1/08 V ,  H01L 21/30 502 W
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開昭58-202038
  • 特開昭62-241325
  • 特開昭54-060236
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