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J-GLOBAL ID：200903087187766196
硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001119478
Publication number (International publication number)：2002316817
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 粒度分布が狭く光吸収の波長選択性に優れた硫化カドミウム超微粒子を提供する。【解決手段】 半値幅が35nm以下の吸収帯を与え、かつそのピーク波長が400nm以上にある硫化カドミウム超微粒子、及び超微粒子の製造過程にカルボン酸類を添加することにより、吸収帯のそのピーク波長が400nm以上にあり、かつその半値幅が狭い硫化カドミウム超微粒子及び半導体のシェルを有する硫化カドミウム超微粒子の製造方法。
Claim (excerpt)：
半値幅が35nm以下の吸収帯を与え、かつそのピーク波長が400nm以上にある硫化カドミウム超微粒子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (5)：
4G047BA01
, 4G047BB01
, 4G047BB06
, 4G047BC02
, 4G047BD04
