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J-GLOBAL ID：200903087197632570

単結晶製造装置

Inventor： ヴィルフリート・フォン・アモン ,  エリッヒ・ドーンベルガー ,  ヘルベルト・ヴィードナー ,  アルフレッド・パルデュビツキ
Applicant, Patent owner： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996037082
Publication number (International publication number)：1996239291
Application date： Feb. 01, 1996
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 高度の安全性を確保しつつ、単結晶の結晶化先端部分に急激な軸方向温度勾配を生ぜしめる冷却手段を備えた単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 本発明の単結晶製造装置は、溶融半導体材料を坩堝中で溶融させ、この溶融液中に種子結晶を浸漬させてから徐々に引き上げるチョクラルスキー法に基づき半導体材料の単結晶を生成するための装置に関する。この単結晶製造装置は、2つの部分に構成された成長する単結晶を冷却する冷却手段により特徴付けられる。第1の上側部分は液体冷媒を流通させたダクト系から成り、第2の下側部分は熱伝導冷却体として設けられている。

Claim (excerpt)：

溶融半導体材料を坩堝中で溶融させ、この溶融液中に種子結晶を浸漬させてから徐々に引き上げることで半導体材料の単結晶を生成する単結晶製造装置であって、成長する単結晶を遮蔽する少なくとも1つの遮熱部材と、成長する単結晶を冷却する冷却手段とを備え、前記冷却手段が、液体冷媒を流通させるダクト系から成る第1の上側部分と、高熱伝導率を有する冷却体として構成された第2の下側部分との2つの部分で構成されることを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (2)：

C30B 15/00 ,  H01L 21/208

FI (2)：

C30B 15/00 Z ,  H01L 21/208 P