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J-GLOBAL ID：200903087199499363

強誘電性液晶セル

Inventor： 豊田 吉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991191565
Publication number (International publication number)：1993034724
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 強誘電性液晶と薄膜トランジスタを組合わせた液晶セルを動作させたばあいに生じる反転電流による悪影響を消去する。【構成】 薄膜トランジスタのドレイン電極側の容量に蓄積される電荷量の値を、強誘電性液晶の自発分極と透明電極の面積との積の2倍以上とした。

Claim (excerpt)：

少なくともその表面が絶縁物からなる基板上に薄膜トランジスタおよび画素電極が設けられた薄膜トランジスタアレイ基板と、少なくともその表面が絶縁物からなる基板上に対向電極が設けられた対向基板とが強誘電性液晶を挟み込む構造の液晶セルであって、薄膜トランジスタのドレイン電極側の全ての容量に蓄積された電荷量の値が強誘電性液晶の自発分極と画素電極の面積との積の2倍以上であることを特徴とする強誘電性液晶セル。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 560

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-267734
  
• 特開平1-191830
  
• 特開昭64-076037