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J-GLOBAL ID：200903087202076142

In2O3-SnO2前駆体ゾルの製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法

Inventor： 土岐 元幸 ,  福井 俊巳
Applicant, Patent owner： 株式会社関西新技術研究所
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997199389
Publication number (International publication number)：1999029326
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 均質な成膜が可能であるような高濃度かつ均質で、成膜後にゲル膜中に残存する有機物の量が少ないIn2O3-SnO2前駆体ゾルを製造でき、高品質のIn2O3-SnO2薄膜が得られる方法を提供する。【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解・重合させる場合に、インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液への水の添加を-20°C以下の温度で行う。得られたIn2O3-SnO2前駆体ゾルを用いて成膜したゲル膜に対して波長が360nm以下である紫外光を照射し、ゲル膜を結晶化させる。

Claim (excerpt)：

インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解・重合させてIn2O3-SnO2前駆体ゾルを製造する方法において、前記インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液への水の添加を-20°C以下の温度で行うことを特徴とするIn2O3-SnO2前駆体ゾルの製造方法。

IPC (3)：

C01G 19/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503

FI (3)：

C01G 19/00 A ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503 C