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J-GLOBAL ID：200903087216850185

薄膜トランジスタ

Inventor： 金谷 康弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102145
Publication number (International publication number)：1993275698
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのソース/ドレインとゲート間の寄生容量を低減し併せて低リーク電流化を図る。【構成】 絶縁基板1の上に薄膜トランジスタが形成されている。このトランジスタは例えば逆スタガ構造を有し、ゲート電極2の上に順次ゲート絶縁膜3、半導体活性層4、ソース電極7/ドレイン電極8が積層されている。ゲート電極2はチャネル領域の幅方向に沿って凹凸端面形状を有する。ソース電極7及びドレイン電極8の端部はこの凹凸端面に整合しておりオーバラップ部分が少ない。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の幅方向に沿って凹凸端面形状を有するゲート電極を備えた事を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12