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J-GLOBAL ID：200903087226027347

半導体装置の配線接続構造及びその製造方法

Inventor： 原 竜弥
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194889
Publication number (International publication number)：1994021240
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホール部での上層配線のステップカバレージ特性を損なうことなく、上層配線をパターニングする際のレジスト露光時のハレーションを防止する。【構成】 コンタクトホール5に、テーパーではなく、半導体基板の主面に平行な面52aと垂直な面52bとからなる段差部52を設ける。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて下層配線と上層配線とが互いに接続されている半導体装置の配線接続構造において、前記コンタクトホールが、半導体基板の主面に対して実質的に平行な面と実質的に垂直な面とからなる段差を有していることを特徴とする半導体装置の配線接続構造。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205