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J-GLOBAL ID：200903087233184830

太陽電池の製造法

Inventor： 花房 彰 ,  澁谷 聡 ,  江田 信夫 ,  有田 孝 ,  室園 幹夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 粟野 重孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235508
Publication number (International publication number)：1994085297
Application date： Sep. 03, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 CdS膜またはCd1-x Znx Sの窓層の粒径を増大させ、粒界表面積を減少させると共にCdSとCdTeの相互拡散を抑え、発電領域であるCdTe膜への到達光量を増大させ太陽電池の高効率化を図る。【構成】 SnO2 基板1上にCdS膜2の窓層を形成後、CdCl2 などのCdハロゲン化物の膜3、またはLiClなどのLiハロゲン化物膜3aを形成した後、それら材料の融点の上下50°Cの温度域で熱処理後、700°Cへ昇温してCdTe膜の吸収層を形成する。またCdS膜2の窓層を形成後、前記Liのハロゲン化物膜3aを形成し、そのハロゲン化合物の融点以上の温度で熱処理した後、CdTeの膜などの吸収層を形成する。その形成はCdTeペーストをスクリーン印刷法で塗布乾燥後650°Cで焼付けた。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に少くともCdS膜の窓層を備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化カドミウム(CdF2 )を除くカドミウム(Cd)のハロゲン化合物の膜を形成し、その融点の上下50°Cの温度領域で、熱処理した後引続き700°Cで熱処理を行い、その後吸収層を形成する太陽電池の製造法。