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J-GLOBAL ID：200903087239810350

フラッシュ型EEPROMおよびそのフラッシュ型EEPROMを使用した電子計算機システム

Inventor： 大原 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992003370
Publication number (International publication number)：1993189981
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】フラッシュ型EEPROMのデータ書き替えの効率化を図る。【構成】フラッシュ型EEPROMの不揮発性メモリセルが512バイトの記憶容量単位で複数のメモリブロックMB11,MB12...に分割されており、その512バイトのメモリブロック単位でデータ消去およびデータ書き込みが実行される。このため、メモリチップ単位でデータ消去および書き込みを行う構成のものに比し、少ないメモリ容量のアクセスによって効率良くデータの書き替えを行うことができる。

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリセルからそれぞれ構成され、各々が512バイトの記憶容量を有する複数のメモリブロックと、これら複数のメモリブロックの1つを外部からのメモリアドレス信号に応じて選択し、その選択したメモリブロックにおける512バイトの記憶データを一括消去する手段と、前記複数のメモリブロックの1つを外部からのメモリアドレス信号に応じて選択し、その選択したメモリブロックに対して512バイトの記憶データを書き込む手段とを具備し、512バイトの記憶容量単位でデータの書き込みおよび消去が実行できるように構成されていることを特徴とするフラッシュ型EEPROM。

IPC (4)：

G11C 16/06 ,  G06F 3/08 ,  G06F 12/06 530 ,  G11C 11/406

FI (2)：

G11C 17/00 309 A ,  G11C 11/34 363 K