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J-GLOBAL ID：200903087240208125

半導体装置のシリコン酸化膜の製造法

Inventor： 賓地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075116
Publication number (International publication number)：1993226328
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 熱分解CVD法を用いてSiO2膜を製造する場合、従来使用されている原料であるテトラエトキシシランより成膜温度が低く、また、段差被覆性、平坦化性も優れた新規な半導体装置のシリコン酸化膜の製造法を提供することを目的とする。【構成】 モノヒドロキシトリターシャリーブトキシシランあるいはジヒドロキシジターシャリーブトキシシラン等の固体原料を用いてSiO2膜を製造する。これらの原料はテトラエトキシシランに比較し熱分解温度も成膜温度も低く、また、平坦化効果も大きいことがわかった。

Claim (excerpt)：

【請求項】 半導体装置用のSiO2膜を熱分解CVD法で形成する場合、該原料にモノヒドロキシトリターシャリーブトキシシランあるいはジヒドロキシジターシャリーブトキシシランを用いることを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜の製造法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205