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J-GLOBAL ID：200903087243652204

薄膜磁気デバイス及びその製造方法

Inventor： 田邉 信二 ,  山口 正洋 ,  荒井 賢一 ,  島田 寛
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999321636
Publication number (International publication number)：2001143929
Application date： Nov. 11, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高周波においても効率よく動作する薄膜磁気デバイス、およびその製造方法を得る。【解決手段】 基板5上に積層形成された矩形状スパイラルコイル2、このコイル2上に積層形成された非磁性絶縁体3、この非磁性絶縁体3上に積層形成された磁性膜1により構成された薄膜磁気デバイスにおいて、上記磁性膜1は上記コイル2の周方向に沿ってミゾ1bが形成されており、隣接するミゾ1b間に形成される短冊状磁性膜1aの磁化容易軸が上記短冊状磁性膜1aの長手方向に沿うように構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に積層形成されたコイル、このコイル上に積層形成された非磁性絶縁体、この非磁性絶縁体上に積層形成された磁性膜により構成された薄膜磁気デバイスにおいて、上記磁性膜にミゾを形成することにより、上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上記コイルに流れる電流により発生する磁場の方向にほぼ垂直方向となるようにしたことを特徴とする薄膜磁気デバイス。

IPC (3)：

H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/14

FI (3)：

H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/14

F-Term (6)：

5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA11 ,  5E049CB10 ,  5E049EB06 ,  5E049GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-363006