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J-GLOBAL ID：200903087252730080
ドライエツチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991302578
Publication number (International publication number)：1993114583
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 長時間の使用に対してもウェーハ上への異物の付着が少く、しかもクリーニングが容易であり、且つウェーハの全面に亘って均一なプラズマが発生でき、更には被エッチング材料とその下地の材料に対する選択比をウェーハ面内で均一化できるドライエッチング装置を提供することを目的としている。【構成】 真空処理室1内に試料載置電極2と対向電極3を設置する。試料載置電極2には、被処理基板4の外側に配置される導電性材料でなる扁平リング5と、扁平リング5の外縁部を覆う為の絶縁材料でなる扁平リング6を備える。扁平リング5の内側には、被処理基板4の裏面側縁部に重なる環状鍔15を形成する。
Claim (excerpt)：
真空処理室内に互いに平行な2枚の電極を設け、一方の電極に被処理基板を支持し、2枚の電極間で生成させた反応性ガスプラズマによって被処理基板の表面をドライエッチングする装置において、前記被処理基板を支持する一方の電極に、被処理基板の外側に配置される、導電性材料でなる扁平リングと、該扁平リングの外縁部を覆う為の絶縁性材料でなる扁平リングを備えており、前記絶縁性材料でなる扁平リングの内側縁部が、被処理基板の裏面側縁部に重ねてあることを特徴とするドライエッチング装置
Patent cited by the Patent：
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