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J-GLOBAL ID:200903087262575091

過電流保護機能付MOS型トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992234338
Publication number (International publication number):1994085632
Application date: Sep. 02, 1992
Publication date: Mar. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】負荷の起動時には過電流保護機能の効果を消して負荷を迅速に起動させ、なおかつ負荷が定常状態のときには過電流保護を行うことができる過電流保護機能付MOS型トランジスタを提供する。【構成】入力抵抗105の他端に電圧を入力すると、第1及び第2のMOS型トランジスタ101・103が導通状態となり負荷111が起動され、大きな電流(ラッシュ電流)が流れる。第1のMOS型トランジスタ101に大きな電流が流れると、第2のMOS型トランジスタ103にも比例した電流が流れ、保護手段107が作動する。しかし、電荷のたまっていないコンデンサ109は見かけ上ショートした状態なので入力抵抗105による電圧降下がない。そのため、保護手段107が作動しても第1及び第2のMOS型トランジスタ101・103はターンオフしない。
Claim (excerpt):
負荷を駆動させる第1のMOS型トランジスタと、該第1のMOS型トランジスタとドレイン及びゲートがそれぞれ共通に接続され、前記第1のMOS型トランジスタよりセル数の少ないカレントミラー用の第2のMOS型トランジスタと、前記第1及び第2のMOS型トランジスタのゲートに一端が接続され、他端に電圧が印加される入力抵抗と、少なくとも前記第2のMOS型トランジスタのソースに接続され前記第2のMOS型トランジスタのソースの電位が所定値以上になったときに前記入力抵抗を介して前記第1及び第2のMOS型トランジスタのゲートに印加される電圧を低下させる保護手段と、前記入力抵抗に電気的に並列接続されたコンデンサとからなる過電流保護機能付MOS型トランジスタ。
IPC (2):
H03K 17/08 ,  H03K 17/12

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