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J-GLOBAL ID：200903087264208126

固体撮像素子

Inventor： 長田 芳幸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188301
Publication number (International publication number)：1993013748
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体結晶基板上に設けられたアイソレーション電極からの電界効果を用いて、画素間の光電変換素子の電位を変調することにより、クロストークがなく、高感度な固体撮像素子を提供することにある。【構成】 半導体結晶基板上に、信号読み出し処理回路と、光電変換素子を構成する半導体層を画素毎に分離せず連続して堆積して形成した複数の画素とを有する固体撮像素子において、前記画素の画素電極間直下に、絶縁層を介して、前記画素電極間直上の半導体層の電位を制御する変調電極を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体結晶基板上に、信号読み出し処理回路と、光電変換素子を構成する半導体層を画素毎に分離せず連続して堆積して形成した複数の画素とを有する固体撮像素子において、前記画素の画素電極間直下に、絶縁層を介して、前記画素電極間直上の半導体層の電位を制御する変調電極を有することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335