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J-GLOBAL ID：200903087274151068

半導体装置の製造方法

Inventor： 藤田 和弥
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993143393
Publication number (International publication number)：1995022358
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 超薄型樹脂封止型半導体装置用ウエハーを、ウエハー裏面の研磨からダイシングまでウエハーを破壊することなく安全に加工する方法の提供。【構成】 超薄型樹脂封止型半導体装置用ウエハー1の表面に保護・補強用テープ2を貼り付けた状態でウエハー1裏面の研磨を行い、研磨完了後にウエハー3をダイシング工程へ搬送し、ウエハー3裏面の研磨後も表面保護・補強用テープ2を貼り付けたままでウエハー3裏面をダイシング用テープ4に貼り付け、その後、保護・補強用テープ2を剥離してダイシングすることにより、ウエハー3の加工を行う。ウエハー3表面の保護・補強用テープ2の剥離方法として、紫外線を照射することにより接着剤の接着強度を低下させた後に剥離するか、保護・補強用テープ2とウエハー3表面の接着力よりも、保護・補強用テープ2との接着力が大きい剥離用テープ9を用いて剥離する手段がとられる。

Claim (excerpt)：

ウエハーの回路形成面である表面に、保護・補強用テープを貼り付け、上記ウエハーの裏面研磨を行い、上記保護・補強用テープを上記ウエハーの表面に張り付けた状態で、最終ウエハー厚になった上記ウエハーを搬送し、上記ウエハーの裏面をダイシング用テープに貼り付けた後、上記保護・補強用テープを剥離し、ダイシングすることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 Q