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J-GLOBAL ID：200903087298789578
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321679
Publication number (International publication number)：1993160503
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる半導体レーザ装置の低雑音化および低動作電流化を実現する。【構成】 Ga1-XAlXAs層からなる活性層4の上面および下面の少なくとも一方の側にリッジ5aを有するGa1-YAlYAsからなる一導電型の第2のクラッド層5を備えるとともに、リッジ5aの長手方向の側面に沿ってGa1-ZAlZAsからなる逆導電型の電流ブロック層6を備え、かつAlAs混晶比を決めるX、YおよびZがZ>Y>X≧0である。
Claim (excerpt)：
活性層となるGa1-XAlXAs層の上面および下面の少なくとも一方の側にリッジを有する一導電型のGa1-YAlYAs層を備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って逆導電型のGa1-ZAlZAs層を備えてなり、かつAlAs混晶比を決めるX、YおよびZがZ>Y>X≧0である半導体レ-ザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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