Pat
J-GLOBAL ID：200903087302614516
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287770
Publication number (International publication number)：1994140668
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】 アクセプタ不純物を含有するp型基板を用いた半導体装置に関し、p型層から低不純物濃度活性層へのアクセプタ不純物拡散を抑制できる構造の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 アクセプタ不純物を含有するIII-V族化合物のp型半導体層と、前記p型半導体層上に形成され、アクセプタ不純物の捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層と、前記捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層の上に形成され、低不純物濃度のIII-V族化合物半導体活性層とを含む。
Claim (excerpt)：
アクセプタ不純物を含有するIII-V族化合物のp型半導体層と、前記p型半導体層上に形成され、アクセプタ不純物の捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層と、前記捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層の上に形成され、低不純物濃度のIII-V族化合物半導体活性層とを含む半導体装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
