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J-GLOBAL ID：200903087312678245

ポリイミド前駆体組成物とその製法並びに該前駆体を用いた電子装置

Inventor： 横倉 久男 ,  中田 忠夫 ,  近藤 克己 ,  大原 周一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991069732
Publication number (International publication number)：1994240137
Application date： Apr. 02, 1991
Publication date： Aug. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】エージング処理による特性の変化が少ない、電子装置の絶縁膜、バッファコート膜の提供。【構成】ポリイミド前駆体と、中心骨格をなす原子団にメソーゲン基を有する液晶性化合物とを反応させたポリイミド前駆体組成物の硬化物を絶縁層に用いた電子装置。【効果】液晶表示装置においては点状スキャッタリングドメイン、輝度ムラの発生が抑制され、また、半導体装置等においては配線層のストレスマイグレーションの発生が抑制される。

Claim (excerpt)：

ポリイミド前駆体と、該ポリイミド前駆体を構成するテトラカルボン酸残基もしくはジアミン残基の1モルに対して、液晶性化合物をその中心骨格をなす原子団のメソーゲン基で5〜30モル配合したことを特徴とするポリイミド前駆体組成物。

IPC (3)：

C08L 79/08 LRB ,  G02F 1/1337 525 ,  H01L 21/90