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J-GLOBAL ID:200903087325584797

欠陥解析方法および欠陥解析システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 武 顕次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000036894
Publication number (International publication number):2001230289
Application date: Feb. 15, 2000
Publication date: Aug. 24, 2001
Summary:
【要約】【課題】 被検査物の致命的な不良の発生を、製造過程において事前に知ることができるようにすること。【解決手段】 被検査物の製造過程において欠陥を検出して欠陥位置を記憶するステップと、前記欠陥に関する詳細情報を収集して前記欠陥位置と関連付けて記憶するステップと、前記被検査物の最終検査における不良発生位置を記憶するステップと、前記欠陥位置と前記不良発生位置を比較するステップと、前記比較結果に基づき前記詳細情報を分類して表示するステップとを実施する。
Claim (excerpt):
電子回路パターンの製造工程において検出される欠陥の解析方法であって、被検査物の欠陥を検出して欠陥位置を記憶するステップと、前記欠陥に関する詳細情報を収集して前記欠陥位置と関連付けて記憶するステップと、前記被検査物の電気テストにおける不良発生位置を記憶するステップと、前記欠陥位置と前記不良発生位置を比較するステップと、前記比較結果に基づき前記詳細情報を分類して表示するステップとを、含むことを特徴とする欠陥の解析方法。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  G01N 21/88
FI (3):
H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 21/88 J
F-Term (23):
2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051DA07 ,  2G051EA02 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC01 ,  2G051ED07 ,  2G051FA10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA38 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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