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J-GLOBAL ID:200903087341823386
半導体素子用ボンディング線
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
早川 政名
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992262211
Publication number (International publication number):1994112251
Application date: Sep. 30, 1992
Publication date: Apr. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】Pt族元素の添加によりAu線の強度向上を図ると同時に、その添加量を適度な範囲として、高温放置試験におけるA点剥がれの発生率を低下させる。【構成】高純度Auに、Pd,Pt,Rh,Ir,Os,Ruの中から1種又は2種以上を、総添加量0.1 〜5wt%含有せしめると共に、Ca,Be,Ge,Si,Fe,Y,希土類元素の中から1種又は2種以上を、総添加量0.0001〜0.005 wt%含有せしめて溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加工し、更に十分な応力除去を行って線径25μmの母線を成形した。
Claim (excerpt):
高純度Auに、Pd,Pt,Rh,Ir,Os,Ruの中から1種又は2種以上を、総添加量0.1〜5wt%含有せしめてなる半導体素子用ボンディング線。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭56-049534
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特開昭56-013740
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特開平2-288348
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