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J-GLOBAL ID：200903087344921389

光電変換装置及びその製造方法

Inventor： 田 透 ,  大倉 央
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999268725
Publication number (International publication number)：2001093590
Application date： Sep. 22, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電子の授受がスムーズに行われ、光電変換効率の高い光電変換装置を提供する。【解決手段】 電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層と、を少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが針状結晶の集合体からなる半導体針状結晶層であることを特徴とする光電変換装置及びその製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層と、を少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが針状結晶の集合体からなる半導体針状結晶層であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (11)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA20 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00 ,  5H032HH05