多ゾーン・プラズマ処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152458
Publication number (International publication number)：1994061219
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ強化処理による半導体ウエーハ製作において、堆積膜のストレスと堆積速度と膜の均一性を柔軟に制御し、また処理室のクリーニングを効率的に行なうことのできる装置と方法を提案する。【構成】プラズマ堆積またはエッチングガスを処理室(10)に断続モードで流し、少なくとも1つのプラズマ電極(24または52)を1つまたは複数の無線周波数電源を用いて時分割多重で断続的に活性化してプロセス・プラズマ媒体を発生し、プラズマ強化堆積またはエッチングを行なう。更にプロセスガス流が止まっている間に少なくとも1つのプラズマ電極を断続的に活性化してクリーニング・プラズマを生成し、処理室(10)のクリーニングを行なう。これにより、半導体ウエーハ(22)に近接するプラズマ濃度と均一性およびイオン・エネルギーを制御する。

Claim (excerpt)：

プラズマ堆積またはエッチング・プロセス中に、均一なプラズマ処理と効果的な製作反応器(fabrication reactor) 処理室(process chamberまたはprocessing chamber) のその場での(in-situ) クリーニングを行なうための多ゾーン、多電極プラズマ処理方法であって、プラズマ・プロセスガスを前記処理室に流し、前記プラズマ・プロセスガス流の前記流れの間に、前記プラズマ・プロセスガスからプロセス・プラズマを発生して半導体ウエーハ上にプラズマ強化プロセスを行なうためにプラズマ電極を活性化し、前記処理室内にその場で行なわれるクリーニング用のガスを流し、前記クリーニングガスの前記流れの間に、前記クリーニングガスからクリーニング・プラズマを発生してその場でプラズマ援助(plasma assisted) 室クリーニング・プロセスを行なうためにプラズマ電極を活性化する、段階を含むプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 , C23C 14/56 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/302 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-287079
特開昭62-130524
特開平1-140724

Show all

Return to Previous Page