処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997279866
Publication number (International publication number)：1999102951
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】真空雰囲気の移載室に予備真空室及びCVDなどの熱処理を行う真空処理室を接続し、移載室内の移載機により予備真空室内の半導体ウエハを取り出して真空処理室に移載する処理装置において、熱処理後のウエハWをカセットに戻す前に冷却する必要があるが、この冷却に伴うスループットの低下を抑え、またコストアップを抑えること。【解決手段】予備真空室4A、4Bの外に例えばクローズ型カセット6の載置部60を設けると共に、予備真空室4A、4Bに1カセット分に相当する13枚のウエハWを収納できる保持具を設け、熱処理後のウエハWを保持具に受け渡し、13枚のウエハWを全て保持具7に戻した後に、予備真空室4A、4B内を大気復帰させながらウエハWを冷却し、こうして専用の冷却室を不要とした。

Claim (excerpt)：

真空雰囲気の移載室と、この移載室に気密に接続され、基板を真空雰囲気中で処理するための真空処理室と、前記移載室に気密に接続された予備真空室と、前記真空処理室と予備真空室との間で基板を移載するために前記移載室に設けられた第1の移載機と、処理後の基板を冷却するために前記予備真空室に設けられた冷却手段と、前記予備真空室の外部である大気雰囲気に設けられた基板カセットの載置部と、前記予備真空室と前記載置部に載置された基板カセットとの間で基板を移載するための第2の移載機と、を備え、前記真空処理室内で処理された基板を予備真空室内にて前記冷却手段により基板カセットの熱変形温度以下に冷却することを特徴とする処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/68 , B01J 3/03 , B65G 49/00 , C23C 14/56 , C23C 16/44

FI (5)：

H01L 21/68 A , B01J 3/03 J , B65G 49/00 A , C23C 14/56 Z , C23C 16/44 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

改良されたスループットを有する真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008703 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197990 Applicant：国際電気株式会社
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-125218 Applicant：テル・バリアン株式会社

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