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J-GLOBAL ID：200903087372227056

半導体レーザ

Inventor： 菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997187920
Publication number (International publication number)：1999031861
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザに関し、半導体レーザの活性層に適用した場合、室温でしきい値電流を低くするのに最適な大きさをもつ半導体量子ドットを実現させ、また、それを再現性良く得られるようにする為の指針を与えようとする。【解決手段】半導体量子ドットを含む活性層を備え、ドット中に形成された量子準位の基底状態のエネルギ:E1 、励起状態のエネルギ:E2 、量子ドットを囲む障壁層のエネルギ:Ebarrier 、半導体レーザの動作温度に於ける熱エネルギ:kT(k:ボルツマン定数、T:温度)であるとしたとき、それぞれのエネルギがEbarrier -E1 >8kT及びE2 -E1 >4kTの関係を満たしている。

Claim (excerpt)：

半導体量子ドットを含む活性層を備え、ドット中に形成された量子準位の基底状態のエネルギ:E1励起状態のエネルギ:E2量子ドットを囲む障壁層のエネルギ:Ebarrier半導体レーザの動作温度に於ける熱エネルギ:kTk:ボルツマン定数T:温度であるとしたとき、それぞれのエネルギがEbarrier -E1 >8kTE2 -E1 >4kTの関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ。