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J-GLOBAL ID：200903087375372979
半導体デバイス検査システム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994272519
Publication number (International publication number)：1995190946
Application date： Nov. 07, 1994
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体デバイスの異常箇所を鮮明に撮像することができる半導体デバイス検査システムを提供する。【構成】 半導体デバイスを裏面側から撮像することとし、まず、赤外落射照明下で撮像して得られる画素データを左右反転した像に相当する第1の左右反転画素デーアに変換して記憶しておき、次に、無照明下で、半導体デバイスにバイアスなどを印加したときに異常箇所から発生する極微弱光を撮像すると共に、その極微弱光の像の画素データを左右反転した像に相当する第2の左右反転画素データに変換し、第1,第2の左右反転画素データを重畳加算することによって、半導体デバイス内のチップパターン像に異常箇所の像をスーパーインポーズして表示する。そして、上記赤外落射照明は、赤外域まで延びる広波長帯域の光を放射する光源からの該光を、測定すべき半導体デバイスと同材質からなる光学フィルタに通すことによって、照明用の赤外光を形成するようにした。
Claim (excerpt)：
半導体デバイスの裏面側を撮像する撮像手段と、照明光源から放射された赤外域まで延びる広波長帯域の光を、前記半導体デバイスと同材質からなる光学フィルタに通すことによって、前記半導体デバイスの裏面側を照明する赤外域の光を形成する赤外落射照明手段と、前記撮像手段が前記赤外落射照明手段による照明下で前記半導体デバイスの裏面側を撮像することによって出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて第1の左右反転画素データを作成すると共に、無照明下で前記撮像手段が半導体デバイスの異常箇所から生じる極微弱光の像を撮像することによって出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて第2の左右反転画素データを作成する画像反転手段と、前記画像反転手段で作成された前記第1の左右反転画素データと第2の左右反転画素データとを画素配列を一致させて重畳加算して出力する加算手段と、前記加算手段から出力される重畳加算データに基づいて表示手段に再生画像を表示させる重畳表示制御手段と、を備えることを特徴とする半導体デバイス検査システム。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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