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J-GLOBAL ID：200903087388408743

液晶表示装置

Inventor： 中澤 玲子 ,  堂城 政幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 樺澤 襄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994185003
Publication number (International publication number)：1996050304
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁耐圧を高めた陽極酸化膜を有する液晶表示装置を提供する。【構成】 アレイ基板1は、ガラス基板2上にアルミニウムのゲート電極3を形成する。ゲート電極3上にこのゲート電極3をウエットプロセスにより陽極酸化した酸化アルミニウム(Al2 O3 )の酸化アルミニウムゲート絶縁膜4を形成する。陽極酸化に際しては、化成液は3wt%酒石酸水溶液と15wt%酢酸とエチレングリコールとを9:1:10で混合し、アンモニア水を添加してpH=7に調整した溶液を用いる。化成液に酢酸を添加することで、酸化アルミニウムゲート絶縁膜4の酸化アルミニウム(Al2 O3 )中に炭素を添加し、絶縁耐圧が高くなる。シリコン酸化ゲート絶縁膜5を一面に形成する。半導体層7、エッチングストッパ層8、コンタクト層9,10、画素電極11、ソース電極12およびドレイン電極13を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたゲート配線と、このゲート配線を覆って形成されるゲート絶縁膜と、前記基板上にこのゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、前記ゲート配線および前記データ配線の交点近傍に設けられたスイッチング素子とを有するアレイ基板を備えた液晶表示装置において、前記ゲート配線は、アルミニウムからなり、前記ゲート絶縁膜は、アルミニウムの陽極酸化膜およびシリコン酸化膜を含む多層積層構造であり、前記陽極酸化膜は、炭素を含み、炭素含有量が1〜3原子%であることを特徴とした液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343