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J-GLOBAL ID：200903087391910883

犠牲層エッチングの方法

Inventor： 池田 恭一
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066065
Publication number (International publication number)：1993275401
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 構造物が基板に付着する恐れのない犠牲層エッチングの方法を提供する。【構成】 酸化シリコンを主成分とする犠牲層エッチングの方法において、前記犠牲層をふっか水素ガス及び微量の水蒸気を含有するガス中で気相エッチングするようにした事を特徴とする犠牲層エッチングの方法である。

Claim (excerpt)：

酸化シリコンを主成分とする犠牲層エッチングの方法において、前記犠牲層をふっか水素ガス及び微量の水蒸気を含有するガス中で気相エッチングするようにした事を特徴とする犠牲層エッチングの方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-076630
  
• 特開平4-065125
  
• 特開昭59-038621