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J-GLOBAL ID：200903087398427916

半導体素子基板およびその製造法、該基板を用いた半導体装置

Inventor： 國米 和夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996129257
Publication number (International publication number)：1997293876
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 TFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素電極の表面均一化、高精細化、および半導体層のプラズマダメージの回復を図る。【解決手段】 画素電極の製造工程において、まず非晶質導電膜を形成し、熱処理によって該非晶質導電膜を結晶化して透明化すると同時に、該熱処理によって水素を含む絶縁膜より水素を半導体層へ拡散して半導体層の高性能化を図るとともに、該半導体層のプラズマダメージを回復する。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも半導体層と、水素を含む絶縁膜と、非晶質導電膜を再結晶化してなる透明導電膜とを有することを特徴とする半導体素子基板。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (5)：

H01L 29/78 627 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 G