Pat
J-GLOBAL ID：200903087407538068
熱処理炉
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992184469
Publication number (International publication number)：1994005533
Application date： Jun. 18, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 反応容器内に噴射される原料ガスを半導体ウエハに均一に供給することができる熱処理炉を提供する。【構成】 内部反応容器14は、外部反応容器12の内部に配置される。内部反応容器14の右側面と左側面には多数の孔14aが所定の間隔で上下方向に形成されている。この右側面と左側面の各々の各孔14aは、水平方向の相対する位置に形成されている。内部反応容器14内には、半導体ウエハ2がその表面が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート26に収納されている。原料ガスは外部反応容器12と内部反応容器14とで挟まれた空間に導入され、孔14aから内部反応容器14内に噴射される。
Claim (excerpt)：
第一反応容器と、該第一反応容器内に配置した、側面に多数の開口部を形成した第二反応容器とを備え、前記第二反応容器内に試料を載置し、原料ガスを前記開口部を通して前記第二反応容器内に導入して前記試料と反応させ前記開口部を通して外部に排出することを特徴とする熱処理炉。
IPC (3)：
H01L 21/22
, H01L 21/205
, H01L 21/31
