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J-GLOBAL ID：200903087423519375

結晶性薄膜の形成方法

Inventor： 伊藤 博人
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Agent (1)： 岩間 芳雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002162059
Publication number (International publication number)：2004010910
Application date： Jun. 03, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】特性の優れた結晶性膜を安価に製造すること。【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、結晶核となりうる微小物質を付着させた基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒し、基材上に酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Fドープ酸化錫、Alドープ酸化亜鉛、Sbドープ酸化錫、ITO、In2O3-ZnO系アモルファス透明導電膜、けい素の薄膜、酸化チタンの薄膜等の結晶性の薄膜を形成する方法。【選択図】 図9

Claim (excerpt)：

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、結晶核となりうる微小物質を付着させた基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒し、基材上に結晶性の薄膜を形成することを特徴とする結晶性薄膜の形成方法。

IPC (7)：

C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

FI (7)：

C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/316 X

F-Term (34)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA11 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030BA47 ,  4K030BB00 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045AF14 ,  5F045BB08 ,  5F045DP22 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB03