半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：根本進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034611
Publication number (International publication number)：1994232454
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【構成】基板1の一方の主面1a側の一導電型を呈するオーミックコンタクト層5と、このオーミックコンタクト層5上の一導電型を呈する半導体層6aと、この半導体層6a上の逆導電型を呈する半導体層6bと、この半導体層6b上の逆導電型を呈するオーミックコンタクト層6cとを備える。各オーミックコンタクト層5、6cに電極8a、8bが接続される。【効果】 LED抵抗を低減でき、バッファ層を設けてもLED抵抗が大きくなることはなく、製造工程を簡略化でき、動作層における電流の流れが横方向に広がり発光効率が向上し、LEDアレイに利用する場合、バッファ層を設けても電子写真画像の高精細化を図ると共に材料の利用効率を向上できる。

Claim (excerpt)：

基板の一方の主面側の一導電型を呈するオーミックコンタクト層と、このオーミックコンタクト層上の一導電型を呈する半導体層と、この半導体層上の逆導電型を呈する半導体層と、この半導体層上の逆導電型を呈するオーミックコンタクト層とを備え、各オーミックコンタクト層に電極が接続されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭60-201381
特開平1-212483
特開昭60-201680

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