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J-GLOBAL ID：200903087434455980
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042187
Publication number (International publication number)：1993218047
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体ペレット上の絶縁保護膜の上面から該膜の下層の金属配線膜に達する接続孔内に、該金属配線膜と外部配線とを電気的に接続するバンプ電極を、電気めっき法により形成する場合、接続孔を含む絶縁保護膜上に、めっき用レジストマスクを形成した後、めっき電流を流し、金属配線膜上にバンプ金属を堆積するのであるが、この際、めっき金属がレジストマスクと該マスクの下地層との界面にしみ出すのを防止すると共に、めっき時間を短縮し、効率良くバンプを形成する。【構成】電気めっき工程の最初に、例えば低電流密度で、適当な厚さのめっきしみ出し阻止膜を形成し、該膜によりレジストマスクと下地層との界面端部を固めた後、高電流密度でバンプを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の絶縁保護膜の上面から該膜の下層の金属配線膜に達する接続孔内に該金属配線膜に接続してバンプ電極を電気めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、前記接続孔を含む絶縁保護膜上にめっき用レジストマスクをフォトリソグラフィにより形成する工程と、前記接続孔内に前記めっき用レジストマスクと該マスクの下地層との間にめっき金属がしみ出すのを阻止するめっきしみ出し阻止膜を、電気めっき法により形成する工程と、前記めっきしみ出し阻止膜上にバンプ電極を電気めっき法により形成する工程とを、含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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