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J-GLOBAL ID：200903087442479287

半導体装置の製作方法

Inventor： 竹 内 正 佳
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991157927
Publication number (International publication number)：1993063169
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置、特にシリコンウエハどうしを直接接合してなるSOI基板の製作方法に関するものである。【構成】 シリンコンウエハの直接接合によるSOI基板の作製において、サブストレート4と両面が鏡面を有するウエハ5とを接合後、サブストレートのウエハにレジストを塗布し、表面側をエツチングして一定の厚さとし、レジストを除去してSOI基板を製作する方法である。

Claim (excerpt)：

半導体装置であるSOI基板の製作方法として、SOI基板のサブストレートとなるウエハに酸化膜を形成し、レジスト塗布、酸化膜除去、レジスト除去を行いサブストレートのウエハを製作し、次に前記サブストレートのウエハと表・裏の両面が鏡面であるウエハを洗浄後親水化処理を行い、水素結合を利用し、熱処理を行つて、前記ウエハどうしの接合を行い、前記サブストレートのウエハにレジストを塗布し、表面側をエッチングして一定の厚さとし、レジストを除去してSOI基板を製作する半導体装置の製作方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321