Pat

J-GLOBAL ID：200903087445373366

面発光半導体レーザの製造方法

Inventor： 浜尾 昇
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991351931
Publication number (International publication number)：1993167188
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体多層反射膜にはさまれた量子井戸活性層を有する面発光半導体レーザにおいて、閾値電流及び直列抵抗を低減し外部微分量子効率を向上させる。【構成】 下部半導体多層反射膜4と量子井戸活性層6と上部半導体多層反射膜10を順次半導体基板1上に形成し、量子井戸活性層6直下までエッチング除去された領域に囲まれた光制御領域12を形成する。次に高真空中内で試料を成長室に搬送し量子井戸活性層6の最低準位間遷移エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層からなる表面保護半導体層13を全面に成長し、埋め込み構造を形成する。この後に不純物を光制御領域12の側面に達するまで導入し、低抵抗層14を形成する。電流は上部半導体多層反射膜10を迂回し低抵抗層14を通して流れるので上部半導体多層反射膜10はアンドープに出来る。従って直列抵抗が低減し外部微分量子効率が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、下部半導体多層反射膜を形成する工程と、少なくとも1つの量子井戸を含む量子井戸活性層を形成する工程と、上部半導体多層反射膜を形成する工程と、少なくとも前記量子井戸活性層直下までの半導体層を選択的にエッチングにより除去し、該エッチングにおいて残された柱状の領域を光制御領域とする工程と、この光制御領域形成工程の後に前記量子井戸活性層の最低準位間遷移エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層からなる表面保護半導体層を全面に形成する工程と、該表面保護半導体層の表面近傍及び前記光制御領域の側面近傍のみに不純物を導入し低抵抗層を形成する工程と、該低抵抗層に電極を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。