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J-GLOBAL ID：200903087466493345

アッシング方法およびアッシング装置

Inventor： 岡村 浩治
Applicant, Patent owner： 九州日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000290573
Publication number (International publication number)：2002100613
Application date： Sep. 25, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡便な方法でもって、表面に変質層の有るレジストマスクをアッシング処理で効率的に除去できるようにする。【解決手段】変質層13を表面に有するレジストマスク12をプラズマガスを用いて除去するアッシング方法において、上記変質層13が破裂しない第1の温度の環境下で変質層を除去し、プラズマガス中の所定の反応ガスからの発光の変化を検知して半導体ウェーハを昇温し第2の温度の環境下で上記プラズマガスを用いてレジストマスクの残存部分であるレジスト14,14aを除去する。ここで、上記発光は、酸素ラジカルあるいは反応生成物であるCOからのものである。また、上記第1の温度は150°C以下に設定され、第2の温度は250°C以上に設定される。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ上に形成され、変質層を表面に有するレジストマスクをプラズマガスを用いて除去するアッシング方法であって、第1の温度の環境下で上記変質層を除去し、前記プラズマガス中の所定の反応ガスからの発光の変化を検知して前記半導体ウェーハを昇温し第2の温度の環境下で、引き続いて、前記プラズマガスを用いて前記レジストマスクの残存部分を除去することを特徴とするアッシング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

F-Term (15)：

2H096AA25 ,  2H096LA06 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  2H096LA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA28 ,  5F046MA12