半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山田義人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021810
Publication number (International publication number)：1999220025
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【構成】第2層間膜16をエッチングする際には、第1層間膜14のエッチングレートが第2層間膜16のエッチングレートよりも小さくなるように、エッチングガスまたはエッチング液の種類を選択する。また、第1層間膜14を分子密度が緻密な窒化シリコン(SiN)等で形成する。したがって、第1層間膜14が、エッチングストッパおよび拡散阻止膜として機能する。【効果】エッチングストッパ膜や拡散阻止膜を別途形成する必要がないので、構造および製造工程を簡素化できる。

Claim (excerpt)：

第1の層間膜、前記第1の層間膜に形成されたコンタクトホール、前記第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜、および前記第2の層間膜をエッチングすることによって形成されて前記コンタクトホールに連通する配線溝を備える、半導体装置であって、前記第1の層間膜は前記エッチングにおける前記第2の層間膜のエッチングレートより小さいエッチングレートを有する、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 622

FI (4)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 M , H01L 21/304 622 X , H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-077247 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-125758 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-316089 Applicant：日本電気株式会社

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