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J-GLOBAL ID：200903087484580603
マイクロ波プラズマCVDによる薄膜形成方法及び装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北西 務 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331434
Publication number (International publication number)：1996165194
Application date： Dec. 12, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 大型基材や大面積基材の外周部分に均一に薄膜形成を行なう方法及び装置に関するもので、ダイヤモンド、各種セラミックス製等の機械部品の耐摩耗性を向上するためのコーティング等を迅速かつ均質に行なうことを目的としている。【構成】 円筒型空洞共振器1は基材3の外周に沿って複数個配置され、該共振器の側壁は反応室2の側壁の一部を構成し、基材搬出入口18が設けられ、基材3の外周部がその内部を通過するよう構成する。反応室2には基材3、基材ホルダ4が設置され、外部動力9により基材は回転する。空洞共振器の一部の上下は石英板10で仕切られ、石英板10で挟まれた領域でプラズマを発生させる。ガス供給装置7からは原料ガスとして水素及びメタンが反応室2へ供給され、該原料ガスはその後プラズマ中で解離、反応したのち排出される。マイクロ波発振器5からは導波管6を通じてマイクロ波が伝わり空洞共振器1へ導入され、基材表面に均質薄膜を形成する。
Claim (excerpt)：
マイクロ波発生装置から出力されたマイクロ波を円筒型空洞共振器中に導入し、そのマイクロ波の電界によって原料ガスを放電励起反応させその近傍に設置した基材上に反応生成物の薄膜を形成する装置において、大型平板状基材の外周部両面に均一成膜を行うため、1個又は複数個の円筒型空洞共振器を基材の外周部に沿って配置することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4)：
C30B 25/02
, C23C 16/26
, C30B 29/04
, H05H 1/46
