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J-GLOBAL ID：200903087504212657

ZnSe層上にオーム接点を設ける方法

Inventor： ニクヒル タスカー ,  ババー カーン
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993105567
Publication number (International publication number)：1995283165
Application date： May. 06, 1993
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ZnSeのp型窒素ドープ層上にオーム接点を設ける方法を得る。【構成】 ZnSe層をHg含有液で湿潤し、該層を 200°C以上の温度に加熱することにより基板(1) に設けたZnSe層(2) 上にオーム接点を設ける方法であって、上記基板を 200°C以上であるが 350°Cより高くない温度に加熱したHg含有浴に浸漬することによりZnSe層(2) を湿潤し加熱する。この方法を用いてp型の窒素ドープしたZnSe層上にオーム接点(4) を設けることができる。 120分より長い時間後Hgx Zn1-x Se(但しxはZnSe層における0からその外表面における1まで変化する)層(3) 上に接点4が形成される。生長した層は窒素ドープしたZnSeの層にオーム接点を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に設けたZnSe層をHg含有液で湿潤し、該層を 200°C以上の温度に加熱することにより該層上にオーム接点を設けるに当り、上記基板を 200°C以上であるが 350°Cより高くない温度に加熱したHg含有浴に 120分より長い時間浸漬することによりZnSeの層を湿潤し加熱することを特徴とするZnSe層上にオーム接点を設ける方法。