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J-GLOBAL ID：200903087511891969
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330916
Publication number (International publication number)：1995193328
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】クラッド層または導波路層の活性領域に接している部分の少なくとも片側に、n型不純物またはp型不純物が0〜1016・cm-3の範囲存在する領域を設けたことにより、半導体レーザ素子の発振しきい値電流を減少させ、素子の効率を向上し、発熱量を減少させ、寿命を改善する。【構成】ZnS0.07Se0.93クラッド層(2および4)の、Zn0.8 Cd0.2Se活性領域4と接する部分にn型不純物またはp型不純物が無添加の領域(2-2および4-1)を設けた構造を持つII-VI族化合物半導体レーザとする。これにより出力1mWのときの素子効率が1.6倍に向上し、発熱量は約60%に減少し、さらに素子の寿命が1.8倍から3倍に増加する。
Claim (excerpt)：
II-VI族化合物半導体から構成され、活性領域の両側がクラッド層によってはさまれていて、前記活性領域はn型不純物またはp型不純物が実質的に含まれていない構造の半導体レーザにおいて、前記クラッド層の前記活性領域に接している部分の少なくとも片側に、n型不純物またはp型不純物が0〜1016・cm-3の範囲存在する領域を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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