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J-GLOBAL ID：200903087518241390

半導体レーザ

Inventor： 内田 智士
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992072278
Publication number (International publication number)：1993235474
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 戻り光量を実質上ゼロとすることにより、戻り雑音を確実に防止することができるレーザピックアップ用半導体レーザ及びそれを用いてなるレーザピックアップ装置を提供する。【構成】 本発明の半導体レーザは、レーザ出力部を有する積層体が、一方の電極1上に配設された傾斜基板2上に第1クラッド層3、活性層4、第2クラッド層5、電流阻止層6、キャップ層7および他方の電極8がこの順で形成されてなる積層体を用い、前記レーザ出力部の出射端面が前記基板2の傾斜方向に対して直角にへき開されているものである。。本発明のレーザピックアップ装置はこのようにして構成された半導体レーザを用いてなるものである。

Claim (excerpt)：

レーザピックアップに用いられる半導体レーザであって、一方の電極上に配設された傾斜基板上にレーザ出力部を有する積層体が形成され、前記レーザ出力部の出射端面が前記基板の傾斜方向に対して直角にへき開されてなることを特徴とする半導体レーザ。