Pat

J-GLOBAL ID：200903087519585387

半導体加速度センサ

Inventor： 中村 肇 ,  鈴木 美彦 ,  岡崎 光宏 ,  岩崎 純
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316278
Publication number (International publication number)：1995167888
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体加速度センサの加工に要する時間を短縮する。【構成】 可撓性を有する薄肉部13と、薄肉部13の機械的変形に基づいて抵抗が変化する抵抗素子11とからなる第1の基板と、加速度を受けることによって薄肉部13を変形させる重錘体21と、第1の基板を支持する支持部22とからなる第2の基板と、からなり第1の基板と第2の基板が接合されている半導体加速度センサにおいて、第2の基板は加工性の良い材料からなることから構成する。

Claim (excerpt)：

可撓性を有する薄肉部と、該薄肉部の機械的変形に基づいて抵抗が変化する抵抗素子とからなる第1の基板と、加速度を受けることによって前記薄肉部を変形させる重錘体と、前記第1の基板を支持する支持部とからなる第2の基板と、からなり該第1の基板と該第2の基板が接合されている半導体加速度センサにおいて、前記第2の基板は加工性の良い材料からなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-002535
  
• 特開平3-012972
  
• 特開昭62-121367