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J-GLOBAL ID：200903087525409183
ジルコニア電解質粉体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
村瀬 一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323375
Publication number (International publication number)：1995149521
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 導電性向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体を焼結してセラミックスを得る際の焼結挙動を制御する。【構成】 導電率向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体中のSiO<SB>2 </SB>、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Na<SB>2 </SB>Oの化合物あるいは混合物の含有量をそれぞれx、y、zとすると、SiO<SB>2 </SB>(0<x≦1重量%)、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(0<y≦5重量%)、Na<SB>2 </SB>O(0<z≦2重量%)の範囲に調整する。このジルコニア電解質粉体により得た電解質1と空気極3と燃料極2とを積層したものを焼結する共焼結法に用いると、低温にて焼成できるので、信頼性の高い単セル4を製造できる。
Claim (excerpt)：
導電率向上用のドーパントを添加したジルコニア電解質粉体中のSiO<SB>2 </SB>、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Na<SB>2 </SB>Oの化合物あるいは混合物の含有量をそれぞれx、y、zとすると、SiO<SB>2 </SB> 0<x≦1重量%Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB> 0<y≦5重量%Na<SB>2 </SB>O 0<z≦2重量%の範囲としたことを特徴とするジルコニア電解質粉体。
IPC (4)：
C01G 25/00
, C04B 35/48
, H01M 8/02
, H01M 8/10
