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J-GLOBAL ID:200903087543341006
電子放出素子の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
世良 和信 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999042193
Publication number (International publication number):2000243247
Application date: Feb. 19, 1999
Publication date: Sep. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 高効率・高精細・長寿命の電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に下部電極2,絶縁層3,上部電極4,Al膜5を順次積層し(a)、Al膜5に陽極酸化法等により細孔をあけ多孔質アルミナ6を作製し(b)、多孔質アルミナ6をマスクしてドライエッチング法等により絶縁層3及び上部電極4上に多孔質アルミナ6と同様の細孔7をあけ(c)、メッキ法により細孔7の底部の下部電極2上に導電体を堆積させ(d)、ウエットエッチング法等により多孔質アルミナ6を溶解除去する(e)。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に下部電極、絶縁層、上部電極、アルミニウム層を積層する工程と、該アルミニウム層を多孔質アルミナ化する工程と、該多孔質アルミナ層をマスクとして上部電極と絶縁層を多孔質化する工程と、該多孔質絶縁層の孔内に導電体を堆積し、電子放出体を形成する工程と、該多孔質アルミナ層を除去する工程とから少なくともなることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3):
H01J 9/02
, H01J 1/316
, H01J 31/12
FI (3):
H01J 9/02 E
, H01J 1/30 E
, H01J 31/12 C
F-Term (4):
5C036EE03
, 5C036EE14
, 5C036EG12
, 5C036EH10
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